Страница - 325, Электронные цепи Томас Мартин




Но с коллектором. Предполагается, что остальные элементы схемы полупроводникового триода бесшумные. Если два эквивалентных шумовых генератора не зависят один от другого, то их выходы не связаны между собой и могут складываться непосредственно по среднеквадратичному закону. Однако в действительности генераторы бывают взаимно связаны и прибавлять обусловливаемые ими составляющие к общим шумам нужно с учетом этой корреляции. Сложение с учетом корреляции обозначается знаком «-{-», заключенным в кружок.

Механизм возникновения шумов в полупроводниковых триодах здесь рассматриваться не будет. В настоящее время этот вопрос еще тщательно не выяснен. Однако теоретически установлено, что изменения в концентрации неосновных носителей (электронов в р-материале и дырок в я-материале) распределяются по всему веществу, вызывая флюктуации проводимости вещества, модулирующие средний ток или ток смещения и создающие напряжение шумов. Предполагается, что активность неосновных носителей изменяется по неизвестной местной причине. Измерения корреляции шумов подтверждают эту точку зрения, так же как и тот факт, что шумы не зависят от среднего тока.

9.13. ШУМОВОЕ ЧИСЛО УСИЛИТЕЛЕЙ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДАХ

Шумовое число какой-либо схемы было определено формулой 9.23. В специальных случаях (некоторые из них рассматриваются в настоящем разделе) максимальная отдаваемая мощность сигнала одинакова как в бесшумном, так и в реальном усилителе. Таким образом, шумовое число

р_N (факт.)_ Фактическая мощность шумов

N (мин.) Мощность шумов в идеальном случае '

Рассмотрим для примера общий случай усилителя на полупроводниковых триодах, питаемого источником сигнала Eg с внутренним сопротивлением Щ и присоединенной нагрузкой RL (рис. 9.9). Общие шумы, измеренные на зажимах нагрузки, обусловливаются тепловыми шумами в сопротивлении Rg и шумами от полупроводникового усилителя. Ясно, что если полупроводниковый триод бесшумный, то мощность на выходе представляет собой тепловые шумы







21*    323

Рис. 9.9. Общая схема полупроводникового усилителя