Страница - 302, Электронные цепи Томас Мартин




Поскольку функция усиления этого усилителя такая же, как и для соответствующего лампового усилителя, то методика расчета обоих усилителей одинакова. Данный полупроводниковый усилитель практически не совсем пригоден, особенно в каскадных схег мах, потому что низкое входное сопротивление следующего каскада может значительно перегрузить резонансный контур.

8.14. ПРЕДЕЛЬНАЯ ЧАСТОТА, СООТВЕТСТВУЮЩАЯ ВЕЛИЧИНЕ а

Во всех приводимых до сих пор выводах предполагалось, что коэффициент усиления по току а полупроводникового триода .не зависит от частоты. На практике это далеко не соответствует действительности, и при расчете любого широкополосного усилителя необходимо учитывать изменение а,. Поэтому выведенные до сих пор уравнения применимы только на тех частотах, когда а в сущности не зависит от частоты.

Рис. 8.21. Теоретическое изменение величины и фазы а в функции частоты согласно уравнению 8.79


Если характер изменения а с частотой можно было бы выразить аналитически, то задача получения расчетных формул оказалась бы трудной, но. все же выполнимой. При этом используются те же методы и принципы, что и приведенные выше. Мы только имеем другой частотно-зависимый член первоначальной функции усиления.

Коэффициент усиления по току изменяется как по величине* так и по фазе в зависимости от частоты ш в установившемся режиме (рис. 8.21). Через ао обозначен коэффициент усиления по току для низкой частоты.

Уменьшение а в функции частоты, очевидно, обусловливается рядом факторов, в общем случае связанных с временем пробега неосновных носителей. Некоторые из этих факторов рассматриваются ниже.

Линии тока неосновных носителей от эмиттера к коллектору обычно не прямые. Вследствие этого различные заряды проходят разные расстояния и достигают коллектора немного не в фазе. Это вызывает частичную нейтрализацию их действия на коллек-. торе.

2.    Вследствие дисперсии во времени пробега неосновных носителей некоторые из них уравновешивают действие других носителей.

3.    Влияние обоих предыдущих факторов в некоторой степени зависит от толщины базы, зазора между контактами и сопротивления полупроводника. v






300