Страница - 299, Электронные цепи Томас Мартин




Аналогичным и, пожалуй, более сложным путем можно доказать, что

Это справедливо только в тех случаях, когда Rg значительно больше Rl. Уравнение получилось настолько сложным, что желательно его по возможности упростить.

Для плоскостных полупроводниковых триодов rt составляет доли мегомма, /?2 почти равно RL, составляя обычно лишь несколько тысяч ом. Поэтому можно считать, что Ы значительно больше Rt. Кроме того, для плоскостного полупроводникового триода gt будет во много раз больше g'r Это было доказано в предыдущем разделе. Таким образом, второй член-в уравнении 8.66 имеет небольшую величину. Первый член также мал, и обычно можно пренебречь всем множителем, так что

Аналогичный анализ приводит к тем же результатам для полупроводникового триода с точечным контактом, хотя приближение получается менее точным.

Определим теперь корректирующий параметр:





Поэтому


(8.68)

(8.69)


В результате функция усиления полупроводникового усилителя с параллельной коррекцией принимает вид


(8.70)


Из уравнения 4.38 для лампового усилителя с параллельной коррекцией можно было видеть, что функции усиления этого усилителя и соответствующего полупроводникового усилителя одинаковы в определенных пределах. Для полупроводникового усилителя мы просто имеем ЁЙ а для недегенеративной электронной лампы <1>2. Поэтому, и это очень важно, все расчетные графики для времени нарастания, выброса и верхней критической частоты, полученные для усилителя с параллельной коррекцией, могут быть использованы для полупроводникового усилителя с параллельной коррекцией. Необходимо лишь заменить Щ на этих графиках на Щ При этом Ш определяется уравнением 8.46.

Следовательно, методику расчета, приведенную в разделе 4.9, можно применить и здесь.







297