Страница - 125, Электричество в быту




тенциал по отношению к области /г-типа, то дырки и электроны будут двигаться навстречу друг другу. Пусть, например, в слое p-типа носителей заряда больше (большее количество примеси), тогда основная часть тока, проходящего через перевод, будет обусловлена дырками. В этом случае через переход может проходить очень большой ток и внешнее напряжение нужно лишь для поддержания встречного движения электронов и дырок. Это так называемое прямое направление. Если, наоборот, к слою /?-типа приложить потенциал отрицательный по отношению к слою /г-типа, то дырки и электроны, будут двигаться в разные сторо; ны от перехода, обедняя его носителями зарядов. Это — обратное направление. Ток будет при этом очень мал, так как в области перехода возникает «запирающий» слой, представляющий собой изолятор. Ведь в нем практически отсутствуют свободные носители зарядов. Таким образом, р-п переход обладает свойством односторонней проводимости, которое используется в полупроводниковых диодах (рис. 48).

Рис. 49. Схема устройства транзисторов р-п-р и п-р-п типов

Полупроводниковый триод-транзистор состоит из трех областей и имеет два р-п перехода (рис. 49). К переходу эмиттер-база прикладывается напряжение батареи в прямом направлении, и через него в основном переходит ток дырок (для р-п-р типа). Так как область базы изготавливают из тонкого материала с малым количеством примеси, то

Рис. 48. Носители тока в р-п переходе




126