Страница - 174, Книга начинающего радиолюбителя




14. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

0 14.1. КЛАССИФИКАЦИЯ МИКРОСХЕМ

Вторая половина XX века характеризуется усложнением электронной аппаратуры. В профессиональной аппаратуре начинают широко использоваться системы автоматического регулирования. На смену сравнительно простым радиолокационным станциям обнаружения приходят сначала более сложные станции орудийной наводки с системами управления артиллерийским зенитным огнем, затем сложные радиолокационные комплексы, оснащенные аппаратурой защиты от пассивных и активных помех с селекцией движущихся целей, радиолокационные узлы и сети, способные отображать сложную воздушную обстановку в любом регионе страны и за ее пределами. Электронная автоматика быстрыми темпами внедряется в промышленность, создаются автоматические системы управления технологическими процессами. Атомная энергетика, ракетная техника, радиоастрономия, овладение околоземным космическим пространством, полеты человека на Луну, высадка автоматических исследовательских аппаратов на другие планеты— все это требовало гигантского усложнения электронной аппаратуры. Создаются сложные быстродействующие электронные вычислительные машины, способные выполнять миллионы операций в секунду. Повышаются требования к качеству бытовой электронной аппаратуры, внедряется черно-белое, а затем и цветное телевидение, студийные, а затем и бытовые магнитофоны и видеомагнитофоны, обработка информации, персональные и бытовые компьютеры.

Непрерывное усложнение аппаратуры требовало увеличения ее габаритов, приводило к увеличению потребляемой ею мощности и резко снижало ее надежность. Замена электронных ламп транзисторами позволила значительно снизить габариты и массу каждого аппарата, уменьшить потребляемую мощность и увеличить время наработки аппарата на один отказ. Успехи технологии, достигнутые в процессе производства транзисторов, позволили сделать следующий важнейший шаг на пути микроминиатюризации электронной аппаратуры — производство и внедрение интегральных микросхем.

Транзистор представляет собой полупроводниковый кристалл с двумя электронно-дырочными переходами и