Страница - 169, Книга начинающего радиолюбителя




эмиттерного тока, а стрелками — цикл его изменения. При изменении напряжения между базами вольт-ампер» ная характеристика ОПТ сдвигается параллельно без изменения своей формы влево при уменьшении напряжения или вправо при его увеличении. Наличие на характеристике ОПТ участка с отрицательным динамическим сопротивлением позволяет использовать этот прибор в схемах генераторов, релейных схемах, электронных клю-чах и т. д.

13.7. ТИРИСТОРЫ

Тиристорами называются многослойные полупроводниковые приборы с чередующимися слоями электронной и дырочной проводимости. Н-а рис. 13.17 показано устройство четырехслойного тиристора и его представление в виде двух транзисторов. Четырехслойная структура содержит три перехода: Пі, Я2 и /78. Если приложить внешнее напряжение к выводам А (анод) и К (катод) плюсом к аноду, переходы П\ и /7з окажутся смещены в прямом направлении, а переход Па — в обратном. Практически все напряжение окажется приложено к переходу /7е и через тиристор будет протекать небольшой ток, ко-торый называется прямым током запертого тиристора. При увеличении внешнего напряжения ток через тиристор увеличивается незначительно до тех пор, пока напряжение не приблизится "к некоторому критическому значению, которое называется напряжением включения. Возникает лавинообразное нарастание носителей и пробой перехода П2. Ток через тиристор резко увеличивается и ограничивается только сопротивлением внешней цепи. Пробой не вызывает разрушения перехода — при уменьшении тока восстанавливается большое сопротивление этого перехода.

Лавинообразный переход тиристора во включенное состояние иллюстрируется комбинацией двух транзисторов разной проводимости, коллектор каждого из которых подключен к базе другого. При незначительном увеличении базового тока одного транзистор.а увеличивается его коллекторный ток, то есть базовый ток второго транзистора. Это приводит к увеличению коллекторного тока второго транзистора, то есть к увеличению базового тока первого.



172