Страница - 167, Книга начинающего радиолюбителя




Рис. 13.14. Обозначения полевых транзисторов:

а. б —с управляющим р-л-переходом; в, г —с изолированным затвором н пстросішым каналом; д, е — с изолированным затвором и индуцированным каналом

соединения транзисторов называется схемой Дарлингтона или составным транзистором. Составной транзистор, как и простой, имеет три вывода, эквивалентные эмиттеру, базе и коллектору обычного биполярного транзистора. Составной транзистор может быть собран из двух р-п-р транзисторов или п-р-п транзисторов. Коэффициент передачи тока составного транзистора в схеме ОЭ равен произведению коэффициентов передачи тока входящих в него транзисторов и может составлять несколько тысяч при использовании рядовых транзисторов.

Недостатком составного транзистора является повышенный обратный ток коллектора, который примерно равен произведению обратного тока коллектора первого транзистора на коэффициент передачи тока второго транзистора. Однако при использовании кремниевых транзисторов этот недостаток несуществен. Тем не менее при самостоятельной сборке составного транзистора следует подбирать первый транзистор с меньшим обратным током коллектора. Помимо самостоятельной сборки можно использовать и готовые составные транзисторы, выпускаемые промышленностью в общем корпусе.

Однопереходнып транзистор (ОПТ) имеет три вывода: эмиттер и две базы. По этой причине его иногда называют двухбазовым диодом. Выполняется ОПТ из кремниевого стержня /г-типа, на горцах которого делаются выводы баз. На некотором расстоянии от конца стержня создается область p-типа, и образуется р-/г-переход. Вывод от области p-типа является эмиттером. Если между базами приложено напряжение плюсом на базу 2, потенциал точки стержня, соответствующей положению эмиттера, относительно базы 1 будет определяться расстоянием от этой точки до базы 1. Если потенциал эмиттера относительно базы 1 отрицателен или равен нулю, переход включен в обратном направлении и в цепи эмиттера течет небольшой обратный ток. Участок между базами


170