Страница - 166, Книга начинающего радиолюбителя




Рис. 13.12. Устройство встроенного канала

путем легирования создаются лишь области истока и стока противоположной подложке проводимости. В данном случае при положительном или равном нулю напряжении затвора относительно истока ток стока отсутствует, так как области истока и стока образуют с соседними областями подложки р-п-переходы, включенные навстречу. один другому. Если же к затвору приложено отрицательное напряжение, приповерхностный слой полупроводника, расположенный между истоком и стоком, обогащается основными носителями (дырками) и создается канал с повышенной проводимостью, по которому протекает ток стока. При увеличении отрицательного напряжения на затворе концентрация основных носителей в канале возрастает, сопротивление канала падает и ток стока увеличивается. Таким образом, транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом работают только в режиме обогащения.

Рис. 13.13. Устройство индуцированного канала


На рис. 13.14 показаны условные графические обозначения полевых транзисторов: с управляющим р-л-пе-реходом и каналом п В или р (б), с изолированным затвором и встроенным каналом п (в) или р (г), с изолированным затвором и индуцированным каналом п (д) или р (е).

13.6. ДРУГИЕ ВИДЫ ТРАНЗИСТОРОВ

Для того чтобы увеличить коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме ОЭ, при его производстве приходится уменьшать толщину базы, что представляет технологические трудности. Однако такая задача легко решается использованием двух транзисторов, соединенных так, как показано на рис. 13.15. Такая схема


169