Страница - 165, Книга начинающего радиолюбителя




затворе относительно истока должны быть изменены на противоположные.

Полевые транзисторы с изолированным затвором в последние годы находят более широкое применение по сравнению с транзисторами с управляющим р-п-переходом, так как обладают лучшими электрическими свойствами и проще конструктивно. У транзисторов с изолированным затвором между полупроводниковым каналом и металлическим затвором расположен изолирующий слой из диэлектрика. Поэтому они также называются ,МДП-транзисторами (металл-диэлектрик-полупроводник). Разновидностью МДП-транзисторов являются МОП-тран-зисторы (металл-окисел-полупроводник), у которых в качестве диэлектрика используется двуокись кремния. Благодаря наличию изолирующего слоя между затвором и каналом управление каналом производится исключительно напряжением затвора, а ток затвора отсутствует. Таким образом, входное сопротивление затвора оказывается чрезвычйно большим и определяется сопротивлением изоляции. Полевые транзисторы с изолированным затвором подразделяются на две группы: транзисторы с встроенным каналом и транзисторы с индуцированным каналом.

На рис. 13.12 схематически показано устройство полевых транзисторов с встроенным каналом p-типа. В чистом или слабо легированном кремнии (подложке П) создаются сильно легированные области истока и стока. Между ними создается тонкий приповерхностный слой с проводимостью, аналогичной проводимости истока и стока. Этот слой является каналом, па которому протекает ток стока даже при отсутствии напряжения на затворе. Если к затвору приложен положительный потенциал относительно истока, происходит выталкивание основных носителей (в данном случае дырок) из канала, возрастает его сопротивление и ток стока уменьшается. Такой режим называется обеднением. Если же к затвору приложен отрицательный потенциал, концентрация основных носителей в канале увеличивается, сопротивление канала уменьшается и ток стока возрастает. Этот режим называется режимом обогащения.

Еще проще устройство полевых транзисторов с индуцированным каналом, показанное на рис. 13.13. Как и в транзисторах с встроенным каналом металлический затвор изолирован он поверхностного слоя подложки, но



168