Страница - 163, Книга начинающего радиолюбителя




Рис. 13.9. Выходная харак- Рис. 13.10. Устройство поле-

теристика схемы ОЭ    вого транзистора

Рабочий режим транзистора должен находиться внутри этих гран ид.

На рис. 13.9 приведены статические выходные характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ, — зависимости тока коллектора от напряжения коллектор — эмиттер при разных значениях тока базы. Пользуясь статическими, выходными характеристиками транзистора, можно выбрать рабочий режим и сопротивление нагрузки каскада.

13.6. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Полевые, или как их иногда называют,, канальные, транзисторы по своим свойствам, конструкции и характеристикам значительно отличаются от биполярных транзисторов. Основное достоинство полевых транзисторов заключается в очень большом входном сопротивлении. Поэтому входные токи чрезвычайно малы, а управление выходным током осуществляется входным напряжением. По принципу действия полевые транзисторы можно разделить на две группы: полевые транзисторы с управляющим р-я-переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором.

Принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-я-переходом поясняется на рис. 13.10. Полупроводниковая пластина п-типа имеет на торцах контакты, образующие выводы транзистора: И — исток и С — сток. Исток подключается к минусу источника питания, а сток — к плюсу. На верхней и нижней сторонах пластины создаются области p-типа, на границах которых образуются обедненные слои. Области p-типа соединены с выводом 3 — затвором. У полевого транзистора основ-



166