Страница - 162, Книга начинающего радиолюбителя




Рис. 13.8. Выходная характеристика схемы ОБ

ства расположены довольно тесно одна к другой и можно пользоваться одной из кривых. У германиемых транзисторов кривые начинаются практически из начала координат, а характеристики кремниевых транзисторов сдвинуты вправо примерно на 0,£ В.

Рис. 13.7. Входная характеристика схемы ОБ


По входной характеристике можно определить значения статического (по постоянному току) и динамического (по переменному току) входных сопротивлений транзистора. Статическое входное сопротивление находится как отношение ^напряжения к току в данной рабочей точке характеристики. Для нахождения динамического 'входного сопротивления нужно провести касательную к характеристике в рабочей точке и построить на ней так называемый характеристический * треугольник. По катетам этого треугольника и находится динамическое входное сопротивление транзистора. Таким образом:


(13.5)

Для схемы ОЭ входная характеристика выглядит примерно так же, как и для схемы ОБ, только по оси ординат откладывается ток базы.

На рис. 13.8 приведены статические выходные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, — зависимости тока коллектора от напряжения коллектор-^ база при разных значениях тока эмиттера. Здесь же пунктирными линиями нанесены границы максимального тока коллектора, максимального напряжения коллектор — база и максимальной мощности рассеяния коллектором.

165