Страница - 160, Книга начинающего радиолюбителя




Помимо разницы в коэффициентах передачи тока имеется также разница в значениях входных и выходных сопротивлений, а отсюда и в возможности получения от каждой из схем усиления по напряжению. Схема ОБ имеет малое входное сопротивление и большое выходное, что позволяет получить усиление только по напряжению. Схема ОЭ имеет средние значения входного и выходного сопротивлений и позволяет получить усиление как по напряжению, так и по току. Схема ОК имеет большое входное и малое выходное сопротивления, усиливая только по току. Указанные различия предоставляют возможность путем комбинирования разной последовательности схем включения транзисторов решать самые разнообразные задачи.

Необходимо обратить внимание также на следующие особенности всех трех схем: ток базы значительно меньше токов эмиттера и коллектора, которые примерно равны; управляющим переходом в транзисторе является эмиттерный переход.

Важным параметром биполярного транзистора является обратный ток коллектора /кб0, который определяется как ток между коллектором и базой при разорванной цепи эмиттера. У хороших транзисторов обратный ток коллектора очень мал, но с увеличением температуры он резко возрастает, примерно удваиваясь на каждые 10 градусов.

В некоторых схемах часть обратного тока коллектора проходит через управляющий эмиттерный переход. Это может приводить при увеличении температуры к сильному увеличению тока коллектора, нарушая нормальный режим транзистора и даже выводя его из строя. Поэтому часто предпочтение отдается кремниевым транзисторам, у которых обратный ток коллектора также растет с повышением температуры, но обычно в сотни раз меньше, чем у германиевых транзисторов.

13.4. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ

Рассмотрим основные параметры, которые характеризуют свойства биполярных транзисторов и приводятся в справочниках.

Определения коэффициентов передачи тока и обратного тока коллектора были даны в предыдущем разделе.




6*    163