Страница - 158, Книга начинающего радиолюбителя




Рио. 13.5. Конструкция транзистора

п-р-п — электроны. Названия электродов транзистора Объясняются тем, что эмиттер испускает (эмитирует) основные носители в базу, а коллектор собирает носители, прошедшие через базу.


В связи с тем, Что крайние области транзистора имеют одинаковый тип проводимости, транзистор является обратимым прибором: эмиттер и коллектор можно поменять местами. Однако конструктивное выполнение крайних областей не одинаково, как видно из рис. 13.5, где показана конструкция одного из видов транзистора. Поэтому характеристики при нормальном и инверсном включениях транзистора не одинаковы.

Транзисторы подразделяются на низкочастотные, рассчитанные на нормальную работу на частотах до 3 МГц, среднечастотные — до 30 МГц, высокочастотные — до 300 МГц и сверхвысокочастотные — свыше 300 МГц, а также на маломощные — до 0,3 Вт, средней мощности —от 0,3 до 1,5 Вт и большой мощности — свыше 1,5 Вт. Промышленностью выпускаются разнообраные транзисторы на основе германия и кремния, разных категорий по частотным свойствам и мощности, разной конструкции и разной технологии производства. Однако используемая система основных параметров пригодна для биполярных транзисторов всех категорий.

В дальнейшем будем рассматривать р-п-р транзисторы, но все приводимые рассуждения и выводы пригодны для п-р-п транзисторов с учетом необходимого изменения полярности источников питания. На рис. 13.6 приведены три возможные схемы включения транзистора; схема с общей базой (ОБ), схема с общим эмиттером (ОЭ) и схема с общим коллектором (ОК). Все эти три схемы используются на практике, но обладают разными характеристиками. Любая из этих схем характеризуется коэффициентом передачи тока, которым принято назы-


6—2085    16і