Страница - 157, Книга начинающего радиолюбителя




которой последовательно со стабилитроном включен диод. Положительный ТКН стабилитрона компенсируется отрицательным ТКН диода, включенного в прямом направлении. При необходимости достижения малых напряжений стабилизации (менее 1 В) используется прямое включение специальных стабилитронов, у которых вольттамперная характеристика прямого тока имеет такой же крутой участок, как и обратного тока, но при значительно меньших напряжениях. Такие стабилитроны называются стабисторами. Условное < графическое обозначение стабилитрона показано на рис. 13.2, г.

13.3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру с двумя р-/г-перехо-дами. Если в качестве исходного берется полупроводник я-типа, путем введения акцепторных примесей создается транзисторная структура из чередующихся слоев р-п-р. Если в качестве исходного берется полупроводник p-типа, путем введения донорных примесей создается структура п-р-п. Такие структуры показаны на рис. 13.4 с соответствующими условными графическими обозначениями транзисторов р-п-р и п-р-п типа. Одна из крайних областей называется эмиттером, а прилегающий к ней р-п-переход — эмиттерным. Другая крайняя область называется коллёктором, а прилегающий к ней р-п—пере-, ход — коллекторным. Средняя область называется базой транзистора.

Полярность подводимых извне напряжений к переходам транзистора, как видно из рис, 13.4, такова, что эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Рабочими носителями в транзисторах р-п-р являются дырки, а в транзисторах


Рис. 13.4. Строение тран* зисторов


160