Страница - 153, Книга начинающего радиолюбителя




ння движения якоря от направления тока в обмотке. У таких реле возвратная пружина обычно отсутствует, а после прекращения тока в обмотке якорь остается в том положении, в которое он переместился под воздействием ранее протекавшего тока в обмотке. На рис. 12.5 в качестве поляризованного показано реле КЗ. Точки у обмотки и контактов показывают контакт, к которому подключается подвижный контакт, когда на помеченный точкой вывод обмотки реле подается положительное напряжение относительно второго вывода обмотки.

Выпускаются также реле без якоря и механической связи с контактами, у которых магнитное поле электромагнита непосредственно воздействует на чувствительные к нему магнитоуправляемые контакты, заключенные в запаянный герметичный корпус. Такие герметизированные контакты сокращенно называют герконами ,(К4.1). Это обозначение показывает принадлежность данного геркона к обмотке реле К4 (на рисунке не показана). Если геркон управляется не электромагнитом какого-либо реле, а постоянным'магнитом, его обозначают буквами SF с позиционным номером, например SFL

13. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

13.1. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД

Вопросы строения полупроводников, электронной и дырочной проводимостей, донорной и акцепторной при* месей уже были рассмотрены в разделе 2. Принцип работы полупроводниковых приборов основан на процессах, происходящих в контакте двух обл.астей полупроводника, имеющих различный тпп проводимости. Этот контакт между областями р и п типа называется электронно-дырочным переходом или сокращенно р-л-переходом.

В p-области основными носителями являются дырки и их концентрация значительно больше, чем в « области. Поэтому дырки стремятся диффундировать из р-области в я-область. Аналогично в связи с повышенной концентрацией электронов в /г-области они диффундируют в p-область. В пограничном районе толщиной в доли* микрометра происходит рекомбинация электронов с дырками, в результате которой концентрация основных носителей в этом слое резко уменьшится. Уменьшение .концентрации дырок в пограничном слое p-области приводит к образованию в нем отрицательного пространственного заряда, уменьшение Концентрации электронов в пограничном слое n-области приводит к образованию в нем положительного пространственного заряда. Область образовавшихся пространственных зарядов и являете^ об-, ластью р-я-перехода. В связи с тем, что в области перехода концентрация основных носителей значительно уменьшена, ее часто называют обедненным, или запорным; слоем.

Положительный и отрицательный пространственные заряды в зоне перехода создают электрическое поле, направленное от я-области к p-области и препятствующее дальнейшей диффузии основных носителей. Однако это же поле вызывает движение неосновных носителей: электронов из p-области в я-область и дырок из л-области в p-область. Ток через р-я-переход основных носителей называется током диффузии, а ток неосновных носителей Щгоком дрейфа. Направление тока дрейфа противоположно направлению тока диффузии. В состоянии равновесия, когда внешнее электрическое поле отсутствует, а температура полупроводника не изменяется, токи дрейфа и диффузии равны и общий ток через переход равен нулю.

Пространственные заряды в зоне перехода образуют потенциальный барьер порядка 0,3...0,4 В в германиевых полупроводниках и 0,7...0,8 В в кремниевых. Если приложить к р-п-переходу внешнее напряжение минусом к p-области, а плюсом к я-области, обедненная область расширится, а высота потенциального барьера увеличится. Такое включение перехода называется обратным. Ток диффузии при внешнем обратном напряжении резко уменьшается, так как уменьшается количество основных носителей, способных благодаря своей энергии преодолеть увеличившийся потенциальный барьер.

При увеличении обратного напряжения сила обратного тока через переход приближается к постоянному значению, которое называется тепловым током. Это связано с тем, что сначала по мере увеличения обратного напряжения ток основных носителей (ток диффузии) постепенно уменьшается до нуля, а затем ток через переход определяется лишь током неосновных носителей (током дрейфа), который от напряжения не зависит. Если к p-области приложен положительный потенциал внеш-


154    155