Страница - 13, Книга начинающего радиолюбителя




своем пути дырку. Тогда он займет место находившегося здесь ранее электрона, и «жизнь» этого свободного электрона прекратится. Однако в массе полупроводника движутся не только свободные электроны, но и дырки. Положительно заряженный атом с дыркой притягивает электрон соседнего атома, тот покидает свое место и заполняет дырку. При этом дырка образуется у соседнего атома, к ней притягивается электрон третьего атома, у которого в свою очередь образуется дырка. Направление движения дырок оказывается противоположно направлению движения свободных электронов.

При нагревании абсолютно чистого и однородного полупроводника количество свободных электронов в нем равно количеству дырок. Проводимость, которая вызвана парами свободных электронов и дырок собственного полупроводника, называют собственной. В отличие от собственной проводимости значительно большее применение получила примесная проводимость. Допустим, что в кристаллическую решетку кремния мы ввели примесь — атом фосфора с пятью электронами на внешней оболочке. Этот атом окажется встроен в решетку, и четыре его электрона расположатся так же, как электроны атомов кремния. Пятый электрон окажется лишним, в кристаллической решетке места для него нет, и он превратится в свободный электрон. Атом фосфора, лишившись одного электрона, превратится в положительный ион, но дырка при этом не образуется. При введении примеси фосфора в кремниевом полупроводнике свободных электронов становится больше, чем дырок, и проводимость такого полупроводника преимущественно становится электронной.

Полупроводник с электронной примесной' проводимостью называют полупроводником типа п, а примеси, создающие электронную проводимость, — донорными. Донорами относительно германия и кремния, расположенных в IV группе периодической системы, являются элементы V группы — фосфор, сурьма, мышьяк. Если же ввести в кристаллическую решетку кремния примесной элемент из III группы, например бор, в полупроводнике образуется избыток дырок, так как у бора только три электрона гіа внешней оболочке. Полупроводник с примесной дырочной проводимостью называют полупроводником типа р, а примеси, создающие дырочную проводимость, — акцепторными. Помимо бора акцепторами



13