Страница - 77, Справочник по схемотехнике для радиолюбителя 1987




Хс= 1/<оС= I /6,28/С,

тока:

где |Ц— емкостное сопротивление, Ом; / — частота, Гц; С — емкость, Ф.

Номинальное напряжение конденсатора характеризует напря-' жение, при котором конденсатор способен надежно работать в течение гарантийного срока по ТУ, сохраняя свои эксплуатационные параметры (емкость, ток утечки, сопротивление изоляции).

Рабочее напряжение — это такое значение напряжения,* при котором конденсатор эксплуатируется в РЭА. Рабочее напряжение конденсатора обычно выбирают ниже номинального.

Пробивное напряжение — это значение напряжения, при котором наступает электрический пробой изоляции конденсатора во время постепенного увеличения напряжения на его обкладках. Напряжение, близкое К пробивному, называется испытательным. Оно определяет электрическую прочность конденсатора.

. Электрическая прочность конденсатора уменьшается с увеличением емкости конденсатора, повышением температуры, давления, влажности и зависит от условий теплоотдачи и однородности материала.    ♦ .

Сопротивление изоляции конденсатора зависит от материала диэлектрика Яиз= t///ут. где /?из — сопротивление изоляции конденсатора, Ом; U — напряжение на его обкладках, В.

Потери энергии в конденсаторе определяются потерями в диэлектрике и в обкладках. При протекании переменного тока через реальный конденсатор векторы тока и напряжения сдвинуты на угол 6.

Угол 6 называется углом диэлектрических потерь (нли углом потерь конденсатора). При отсутствии потерь 6 = 0.

Потери энергии конденсатора, Вт, в цепи переменного тока подсчитывают по формуле

Pa = 2nU2fG tg 6,

где U — действующее напряжение, приложенное к конденсатору, В; І — частота синусоидального тока, Гц; С — емкость конденсатора, Ф; tg6 — тангенс угла потерь.

Тангенс угла потерь зависит от параметров диэлектрика (у слюдяных и керамических конденсаторов tg 6 « 0,0025, у электролитических — на два порядка выше).

4.2. ОСНОВНЫЕ РАСЧЕТНЫЕ СООТНОШЕНИЯ ДЛЯ КОНДЕНСАТОРОВ ПОСТОЯННОЙ ЕМКОСТИ

Емкость плоского конденсатора с двумя обкладками, пФ, С = 0,0884eS/d,

где є — диэлектрическая проницаемость диэлектрика; 5 — площадь поверхности обкладки, сма; | — расстояние между обкладками, см.

Емкость плоского многопластинчатого конденсатора из N обкладок, соединенных через одну параллельно,

С = 0,0884eS (N — 1 )/d.

Для эквивалентной схемы конденсатора, когда потери учитывают последовательным включением резистора, тангенс угла по-


79