Страница - 72, Справочник по схемотехнике для радиолюбителя 1987



Экран-оптика newotzyv.ru. . Подскажите где сделать сход развал на газели.


8 мм. В резистивных оптронах ОЭП-3, ОЭП-6, ОПП-7, ОЭП-Іб источником излучения являются светодиоды.

Важными характеристиками резистивных оптронов являются сопротивление фоторезистора в засвеченном состоянии R и темповое сопротивление RT. Оптопары типов ОЭП-1, ОЭП-2, ОЭП-3 представляют собой коммутаторы высоковольтных цепей (до 250 В). Оптопары ОЭП-9, ОЭП-Ю характеризуются высокими значениями Rт, их используют для коммутации высокоомных цепей радиоаппаратуры.

Дифференциальные оптопары ОЭП-6, ОЭП-7, ОЭП-14 позволяют скомпенсировать температурный и временной дрейфы параметров, их используют в линейных схемах. Повышенное быстродействие достигнуто для оптопары ОЭП-16 за счет уменьшения на-( пряжения коммутации и отношения Rt/R. Основные параметры оптронов ОЭП приведены в табл. 3.29.

3.29. Резистивные оптроны

Номинальные параметры управления (входная цепь).

Параметры коммутации (выходные цепи)

Выходное

сопротивление

Время выключения ^ вы кл>

Отсчетиыв

уровень

Тип

оптрона

в открытом состоянии

в закрытом состоянии

сопротив* ления фоторезистора при из-і

и. В

I, мА

Р. Вт

ч

/?св' Ом» не более

Rt. Ом,

мс

меренни ^ВЫКЛ' 9м

и, в

/, мА

не менее

ОЭП-1

5,8

16

250

3,5

0,05

2-103

3-Ю8

200

4* 10®

ОЭП-2

5,8

16

250

7

0,08

4-Ю2

3-Ю7

200

105

ОЭП-3

3.8

15

250

3,5

0,04

1,2-103

3-Ю8

150

4-Ю*

ОЭП-9

5,8

16

20

0,2

0,025

10*

10®

100

2-Ю7

ОЭП-10

5,8

16

20

0,2

0,025

10°

10“

100

2-10®

ОЭП-12

5,8

16

250

2

0,025

4-Ю2

1,5-107

200

105

ОЭП-13

5,8

16

250

2

0,025

3-Ю3

1,5-108

200

4 • 10е

ОЭП-11

5,8

16

10

1

0,025

1,5- Ю2 ...Ю3

Ю7

200

ю5

ОЭП-14

5,8

16

10

1

0,015

1,5-10* .... 103

ІО7

200

106

ОЭП-6

3,8

10

35

0,2

0,01

2-Ю3

10*

120

2-Ю5

ОЭП-7

3,8

10

35

0,2

0,01

2-Ю3

10е

120

2-Ю5

ОЭП-16

2,5

10

5

0,005

103

107

0.5

106

Магниторезистор. Действие магниторезистора основано на эффекте Гаусса (увеличение сопротивления полупроводника при внесении его в магнитное поле). Регулируя напряженность магнитного поля, можно управлять сопротивлением магниторезистора. Основные параметры магниторезисторов типа СМ приведены в табл. 3.30.

Полевые транзисторы можно применять как резисторы, меняющие свое сопротивление под влиянием напряжения, приложенного к его затвору. Они обладают высоким входным сопротивлением (сопротивление затвор—исток): Ю7—- 10е Ом, а для транзисторов с изолированным затвором оно составляет 1010— Ю14Ом! Поэтому для их управления требуется незначительная мощность, а управ-

74