Страница - 397, Справочник по схемотехнике для радиолюбителя 1987




дачи тока, а коэффициентом передачи тока транзистора в режиме малого сигнала. Этот коэффициент определяется как отношение приращения тока коллектора к приращению тока базы относительно некоторого установленного режима по постоянному току при неизменном напряжении коллектор—эмиттер: hn = Д/к/Д/б.

При изготовлении различных радиолюбительских конструкций необходимо знать характеристики полупроводниковых диодов и стабилитронов. На рис. 18.24 приведена схема приставки для проверки полупроводниковых приборов и стабилитронов. На транзисторе VI и стабилитронах V2, ѴЗ выполнен стабилизатор питающего напряжения. Регулировка выходного напряжения может производиться в пределах 0...20 В при максимальном токе до 20 мА. Гнезда XI, Х2 предназначены для подключения внешнего источника питания; Х5, Х6 — испытываемого полупроводникового диода или стабилитрона; ХЗ, Х4 — вольтметра постоянного тока. Верхний

предел измерения стрелочного прибора обеспечивается включением шунта R3 при нормально замкнутом положении кнопки S1. Режим измерения обратных токов полупроводниковых диодов обеспечивается путем нажатия кнопки S1. Шунт R3 при этом отключается. Напряжение стабилизатора можно плавно регулировать резистором R2. Резистором R2 устанавливают минимальное выходное напряжение и увеличивают его до величины требуемого поминального тока стабилитрона. С помощью вольтметра определяют величину напряжения стабилизации. Обратный ток измеряют при нажатой кнопке S1.

Рис. 18.24. Схема для проверки диодов и стабилитронов

Детали: микроамперметр типа М494 стоком полного отклонения 100 мкА и.с сопротивлением рамки 1000 Ом; стабилитроны Ѵ2, ѴЗ— люоые с суммарным напряжением стабилизации не менее 20 В. Шунт R3 подбирают такой величины, чтобы обеспечить ток полного отклонения микроамперметра 50 мА. Транзистор VI — любой средней мощности с Рст не менее 30, например, П213...П217.

Проведенные исследования для германиевых и кремниевых транзисторов показали, что имеется достаточно сильная связь между шумовым током, измеренным на частоте 550 Гц, коэффициентом усиления и его нестабильностью, т. е. существует непосредственная сиязь между шумовыми параметрами приборов и их качеством. Эффективное значение шумового тока у транзисторов малой мощности Ір Ц 1 Вт) обычно определяют для схемы с общим эмиттером при TjKe эмиттера 1 мА, напряжении на коллекторе V' = 3 В и закороченном по переменному току входе. Экспериментально доказано, ч го при отбраковке транзисторов с эффективным значением шумового

тока в полосе 1 Гц I 210-10А//Гц можно отсеять практически все потенциально нестабильные приборы (и Около 15 % потенциально стабильных).

Транзисторы, обладающие повышенным шумом, имеют и худший параметр пробивного напряжения. Структурная схема установки для измерения уровня шумов транзисторов приведена на рис.



400