Страница - 395, Справочник по схемотехнике для радиолюбителя 1987




Затем устанавливают переключатель S1 в положение 3 и подбирают конденсатор С4.

Калибровку моста в режиме измерения индуктивности можно не делать, достаточно лишь на уже откалиброванном мосту подобрать емкость конденсатора С/. В этом режиме точной балансировки добиваются переменными резисторами R10 и R11.

При измерении емкости из полученного значения необходимо вычесть собственную емкость прибора, которая может быть определена при свободных зажимах XI, Х2 1 переводе переключателя SJ в положение 8, a S2 —; в положение «С»4-

I■ Ш S1 н

18.6. ИЗМЕРЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

Основными параметрами колебательного контура являются его резонансная частота и добротность, характеризующие полосу пропускания. Эти параметры определяются значениями индуктивности, емкости І сопротивлением потерь контура.

В колебательном контуре конденсатор представляет для переменного тока определенное реактивное сопротивление = 1/саС = Ц 1/2л/С, где С — емкость, Ф; Ц— частота, Гц; о — круговая частота. При резонансной частоте со0 |Х^| = |ХС|. Эту частоту приближенно

можно определить из условия Шж = 1 /а)0С, откуда (00 = - L.J, или

І = 1 /2л у^іс- Частота Ц — резонансная данного контура. Однако реальный контур обладает еще и активными потерями, из-за которых происходит необратимое поглощение энергии источника. Потери возникают за счет активного сопротивления провода катушки и вихревых токов в проводнике, а также в диэлектрике каркаса катушки. Чем больше активное сопротивление RL по отношению к реактивному индуктивному сопротивлению XL, тем хуже добротность контурной катушки Ц = Xl/R — (£>0L/R = 2n,f0L/R.

При последовательном включении конденсатора, индуктивности и резистора (последовательный контур) на резонансной частоте напряжение на индуктивности либо емкости и Q раз больше подводимого к контуру напряжения. На этом основании для определения добротности контура на резонансной частоте измеряют напряжение на индуктивности либо емкости и относят его к подводимому напряжению.

При параллельном соединении конденсатора и индуктивности (параллельный контур) его эквивалентное сопротивление на резонансной частоте со0 определяется величиной R3 = ((o0LYi/R. Сопротивление потерь R в основном определяется активным сопротивлением индуктивности. На эквивалентной схеме параллельного контура сопротивление потерь обычно представляют последовательно'включенным с индуктивностью L. Добротность параллельного контура Q — Rjo)L показывает, во сколько раз эквивалентное сопротивление контура на резонансной частоте больше (по модулю) реактивного сопротивления индуктивности либо емкости.

Полоса пропускания контура также зависит от добротности контура и определяется выражением 2А| = f0/Q. Полоса А/ характеризует такое приращение к резонансной частоте /0, при котором напряжение на реактивном элементе контура уменьшится до уровня 0,7 от максимального значения.




898