Страница - 302, Справочник по схемотехнике для радиолюбителя 1987




(рис. 14. ІД, в котором ограничение снизу происходит за счет запирания транзистора, а. ограничение сверху — за счет насыщения базо-эмиттерного перехода. На рис. 14.1,<? показан двусторонний ограничитель на логическом ТТЛ-элементе, особенность которого — весьма узкие рамки ограничения (±0,02 В) и возможность непосредственного подключения выхода к другим ТТЛ-элементаі*.

- І В и менее сигнал поступает на вход без изменений, при выходе за эти рамки начинает проводить ток один из диодов VI или V2. тем самым включается делитель R1,R2, при дальнейшем повышении уровня подключаются также R3 и RA. При этом верхняя и нижняя части треугольного напряжения сглаживаются и выходное напря-жениеТстанОвится близким к синусоиде.

На рис. 14.2,6 показана формирующая цепь, использующая нелинейность стоковой Характеристики полевого транзистора.

305