Страница - 236, Справочник по схемотехнике для радиолюбителя 1987




группы А. Заменив транзистор V2 полевым (КП103Л) и соединив исток с эмиттером VI, получим АРУ записи для магнитофона. В этом случае подаваемое на резистор R6 напряжение можно увеличить до 10 В. При использовании в качестве регулирующего элемента полевого транзистора КПЮЗА управляющее напряжение следует уменьшить в два раза.

При изготовлении высококачественных УЗЧ для снижения уровня шумов особенно высокие требования предъявляются к транзистору, стоящему в первом каскаде усилителя. Необходимо применять транзисторы с минимальным уровнем шумов, приведенных к базе, и малым обратным током коллектора. Рекомендуется устанавливать малые (десятки микроампер) токи коллекторов входных тран-


Рис. 11.9. Схема электронной регулировки усиления

Рис. 11.10. Зависимости коэффициента шума от сопротивления источника сигнала для биполярных транзисторов:

1 — КТ911Б; 2 — KT399; З В KT363A; 4 — КТ20ЭВ; 5-*КТЗІ02Е; 5 — КТ310.2Д; 7 —КТ3107Л; 8— КТ3107Ж

зисторов и применять малошумящие типы резисторов (например, ПТМН после отбора по уровню собственных шумов).

Резисторы типа ВС в этих каскадах применять не следует. Электролитические конденсаторы должны обладать малыми токами утечки с номинальным напряжением, в несколько раз превышающим рабочее в данном каскаде. Еще лучше вообще отказаться от электролитических конденсаторов, заменив их бумажными. Неплохие результаты получаются с применением микросхем во входных цепях. Например, микросхема тйпаЖ2УС261 А имеет следующие параметры: коэффициент усиления по напряжению К Ц 300; входное'сопротивление /?вх5> Ю мОм; напряжение шума в полосе усиливаемых частот на выходе Um Ц 6 мкВ.

При использовании малошумящих биполярных транзисторов необходимо учитывать, что их коэффициент шума в значительной степени зависит от сопротивления ЩШ источника сигнала и становится минимальным при определенном значении Rr. На рис. 11.10 приведены зависимости изменения коэффициента шума различных типов биполярных транзисторов от сопротивления источника сигнала /?J при эмиттерном токе транзистора 1 мА и частоте 100 кГц. Минимизация коэффициента шума транзистора при малых сопротивлениях Щ достигается применением биполярных транзисторов с малым значением базового сопротивления щ а при больших зна

239