Страница - 165, Справочник по схемотехнике для радиолюбителя 1987




зависит от степени деформации, температуры, удельного электрического сопротивления и достигает 150...200. При этом тензор ез'и-сторы п-типа имеют отрицательный, а /7-типа положительный коэффициент тензочувствительности.

Основные параметры тензочувствительиых материалов приведены в табл. 7.1,

7.1. Основные параметры тензочувствительиых материалов

6

22

И і и Н о

3j

h

O

О

ш

к

£

о

Qu S

СО ГГ ~

Температурный коэффициент X X J0-*. 1/К

те

Материал

II

а) ^ а о) і і х §

*0* о

Л) n

щ

Модуль упру ГПа

щ

1

о

X

о

«

н

Удельное соп ление, мкОм-

ТермоЭДС і і с медью, мкВ

тензочувст

вительности

1

линейного

расширения

Константан

1.9...2,1

150

±50

0,46...0,5

—40

14...15

Нихром

2,1...2,3

180

22

0,9...1,7

22

■ '

14

Плати норо-

5,1.. .5,5

1700

0,2

. —

■ —

дий

Элинвар

0,7...3,8

176

300-

0,84

0,3

__ .—

0,9

Германий

(дендрит):

п-типа

—150

155

1500

0,25-104

■ 'V-

3000

0,1...$

р-типа

+ 100

155

3000...

...8000

1,Ы0«

N

400...

...5000

0,1...6

Кремний:

п-типа

— 130

130

6000

0,35-104

1 — ' I

3000

0.;.4

р-типа

Н-I 75

190

1300

7,8-104

. — ..

2000

0...4

Проводник или полупроводник тензодатчика деформируется в результате растягивания или сжимания тензочувствительного ада*! териала вместе с поверхностью исследуемого объекта или в резулъ-тате объемного сжатия под воздействием давления газа или жидкости.

Тензочувствительность тензорезистора

K=iR/h,

где — относительное изменение удельного электрического сопротивления; Ц— относительная деформация.

Ползучесть тензодатчика возникает за счет упругого несовершенства основы и клея и определяется коэффициентом

■ бп = диле,    \

■ — приведенное ко входу изменение выходного сигнала при ваданной относительной деформации Коэффициент ползучести обычно не превышает 0,5... 1 % за первый час после приклеивания I соответственно 1... 1,5 % за 6 ч.

Основные параметры тензорезисторов приведены в табл. 7.2, Терморезистивные датчики (терморезисторы). Принцип действия терморезистора основан на свойстве проводника и полупроводника изменять свое сопротивление под действием температуры.

168