Страница - 151, Справочник по схемотехнике для радиолюбителя 1987




зависимости сопротивления диодов ѴЗ, Ѵ4, включенных в цепь от* рнцательной обратной связи, достигается эффект компрессии сигнала, т. е. снижение усиления сигнала при увеличений его амплитуды. Приставка выполнена на двух транзисторах типа КТ342В. Чувствительность приставки регулируют изменением глубины обратной связи резистором R6. Сжимая динамический диапазон, такое уст-

Рис. 6.54. Схема фаз-устройства на основе логарифмического усилителя

ройство увеличивает уровень прослушиваемых помех, что является его недостатком.

От этого недостатка свободны фаз-приставки, преобразующие синусоидальное напряжение в прямоугольное (рис. 6.55). Звучание подобных устройств отличает органный эффект и малый уровень шумов, так как транзисторы в этом случае работают в ключевых режимах. При воздействии на вход такого устройства синусоидаль-

Рис. 6.55. Схема фаз-устройства с повышенной помехоустойчивостью

ного сигнала на выходе формируются прямоугольные импульсы с постоянной амплитудой. Устройство (рис. 6.55) содержит линейный усилитель звуковой частоты, выполненный на транзисторах VIѴ4, и формирователь на,транзисторах Ѵ5, Ѵ6. Формирователь выполнен по схеме двухкаскадного усилителя, охваченного глубокой положительной обратной связью через резистор R10. Состояние формирователя'определяется уровнем входного напряжения. В отсутствии сигнала на входе транзистор Ѵ5 открыт, a Ѵ6 заперт. При превышении входным сигналом некоторого порогового значения, определяемого переменным резистором R10, транзистор Ѵ5 еапира-ется, a Ѵ6 открывается, при этом входное сопротивление транзи

154