Страница - 63, Справочник конструктора радиолюбителя 1983




Г! ре об разова гели частоты

его работе. Контур ПЧ, включенный через катушку связи L.q в цепь коллектора транзистора, для частот гетеродина также представляет относительно малое сопротивление. Однако возникаю-шее па нем напряжение ГІЧ модулирует напряжение частоты гетеродина частотами, кратными ПЧ. Эти комбинационные частоты совместно с гармониками гетеродина создают интерференционные свисты при приеме радиостанций тем в большей степени, чем хуже подобран {Уежим работы преобразователя. Для лучшей работы преобразователя связь его коллекторной цепи с контуром ПЧ необходимо делать минимально требуемой для получения номинальной чувствительности приемника.

В радиолюбительских конструкциях приемников можно применять различные преобразователи частоты, различающиеся некоторыми особенностями, которые делают тот или иной вариант предпочтительней в зависимости от предъявляемых к приемнику требований.

В приемниках, к которым предъявляются требования простоты налаживания, целесообразно применять каскодные схемы в УПЧ и преобразователе; в этом случае необходимое усиление может быть получено при использовании всего лишь двух каскадов. Это обстоятельство важно и тем, что при этом отсутствуют вредные связи через цепи питания, тогда как трехкаскадные усилители при недостаточной фильтрации по цепям питания склонны к самовозбуждению. Кроме того, применение каскодных схем позволяет* уменьшить число отводов от контурных катушек, даже если применяются фильтры ПЧ с большим резонансным сопротивлением, вызванным применением в их контурах конденсаторов сравнительно небольшой емкости (470—270 пФ)

и, следовательно, малых габаритов.

На рис. 2.68 приведена 'схема каскодного преобразователя частоты с совмещенным гетеродином. Здесь транзистор 7\ используется для преобразования частоты, причем для входного сигнала он включен по схеме ОЭ, а' в гетеродине — гіо схеме ОК. Транзистор Т2 усиливает напряжение ПЧ в схеме ОБ, благодаря малой проходной емкости которой можно включить н цепь коллектора контур с высоким резонансным сопротивлением. Конденсатор С8 емкостью 100 пФ представляет для ПЧ сопротивление около 3000 Ом и практически не шунтирует входную цепь транзистора Т2, входное сопротивление которого 60—30 Ом. а на частотах, близких к /гр, облегчает условия возникновения генерации в гетеродине.


Такой преобразователь с нейтрализацией входной емкости для исключения связи между входным и гетеродинным контурами может быть использован и в диапазоне КВ вплоть до частот 15—20 МГц. Цепь нейтрализации, применяемая только в диапазоне КВ, на схеме изображена пунктиром. Конденсатор См лучше выполнять в виде подстроенного. Точное значение его емкости устанавливается при налаживании по минимуму проникновения напряжения гетеродина во входной контур или (при отсутствии ВЧ милливольтметра) по минимуму реакции настройки входного контура на частоту гетеродина.

На рис. 2.69 приведена еще одна каскодиая схема преобразователя, отличающаяся тем, что ее коэффициент усиления значительно изменяется при подведении напряжения АРУ к базе транзистора Т$. При подведении к его базе напряжения, превышающего напряжение на базе транзистора 7*,, транзистор 73 открывается, и ток коллектора транзистора Г2 перераспределяется между 7, и Ту При этом режим транзистора

практически не меняется, а усиление преобразователя уменьшается в 1000— 2000 раз (60—66 дБ). По параметрам этот преобразователь соответствует преобразователю, схема которого изображена на рис. 2.68.

В преобразователе частоты, схема которого приведена на рис. 2.70, для переменного тока входного сигнала транзистора Ts включен по схеме ОК. а транзистор Т2 — по схеме ОБ Этим достигаются сравнительно высокие входное и выходное сопротивления. Для переменного тока гетеродина оба транзистора включены по схеме ОБ. Для постоянного тока оба транзистора включены по схеме ОЭ и образуют дифференциальный усилитель. Максимальное усиление преобразователя получается при балансе дифференциального усилителя, т. е. тогда, когда токи коллекторов обоих транзисторов равны. При подведении к базе транзистора Г, положительного или к базе транзистора Т2 отрицательного (по отношению к имеющемуся) напряжения коллекторный ток Ть возрастает, а Т2 уменьшается. Одновременно уменьшается крутизна характеристики транзистора Га и, следовательно, усиление