Страница - 473, Справочник конструктора радиолюбителя 1983




472    Компоненты и элементы радиоаппаратуры    Разд. 12

Ток выключения однопереходного транзистора 1%ыкя — наименьший эмиттерный ток, при котором сохраняется открытое состояние.

Напряжение отсечки U зи отс — напряжение между затвором и истоком полевого транзистора с р-п переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. В полевых транзисторах с так называемым индуцированным каналом (например, КП301Б) ток в цепи стока появляется лишь при образовании канала при некотором пороговом напряжении на затворе.

Межбазовое напряжение однопереходного транзистора ШтЛ — напряжение между базовьь ми выводами. Межбазовое сопротивление однопереходного транзистора /?біБ2 — сопротивление между базовыми выводами при токе эмиттера, равном нулю.

Параметры в режиме большого сигнала

Параметры в режиме большого сигнала характеризуют работу транзисторов в мощных каскадах усиленная и в переключателях.

Статический коэффициент передачи тока в схеме 03 hvіэ — отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы. В таблицах Л&іэ указан для заданного постоянного напряжения £/*э и тока /к-

Напряжение насыщения базаэмиттер Щ БЭігас — напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора. Насыщение — состояние транзистора, при котором оба его р-п перехода находятся в прямом включении.

Напряжение насыщения коллектор эмиттер Uкэкас — измеряется в тех же режимах, что И 1/бЭик'

Транзистор выводится из насыщенного состояния при подаче в базу запирающего тока. Инерционность выключения транзистора (уменьшение тока коллектора) характеризуется параметром Тр,свремя рассасывания. Обычно время рассасывания составляет 1—5 мкс для маломощных НЧ и мощных ВЧ транзисторов и 0.1—0,05 мкс для ВЧ и СВЧ маломощных транзисторов.

Параметры в режиме малого сйгнала

Параметры транзисторов, работающих в режиме малого сигнала, используют при расчетах усилительных каскадов, выходные напряжения которых существенно меньше напряжения источников литания, а также при расчете стабилизаторов напряжения и транзисторных фильтров.

Коэффициент передачи тока h2\ — отношение изменения выходного тока к вызвавшему

его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе. В зависимости от схемы включения к цифровым индексам добавляется буквенный: ЬШ — коэффициент передачи тока в схеме ОБ; щМ — коэффициент передачи тока в схеме ОЭ. Соотношения между коэффициентами передачи тока:

^2і• =Ьщб/ (I + Лэіб); /ігіб =

— —+ !)•

Коэффициенты передачи тока измеряют, кѳі^ правило, на частотах 50-^— 1 ООО Гц; на ВЧ эти параметры становятся комплексными величинами. Усилительные свойства транзисторов на высокой частоте характеризуются модулем коэффициента передачи тока |/ігі®|. В таблицах указаны значения /і2іэ и |/і2іэі. соответствующие установленным значениям U кэ и /к (или /э)\

Входное сопротивление /г,,—отношение изменения входного напряжения к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе. В зависимости от схемы включения транзистора входное сопротивление обозначается h\ іб, І її», при этом

А||Э ss fl\\efl2ІЗ-

Выходная проводимость /?22 отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода на входе. При включении транзистора по схеме ОБ выходная' проводимость обозначается Л.22б* Выходная проводимость /і22э — параметр, аналогичный /1220* но при включении транзистора по схеме ОЭ

П%2з "226^2 Іэ-

Крутизна характеристики полевого транзистора

S -щ отношение тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме ОИ.

Крутизна характеристики обычного (биполярного) транзистора S = 1000//іцб, мА/В.

Емкость коллекторного перехода Ск — емкость между выводами коллектора и базы при отключенном эмиттере и обратном смещении (несколько вольт) на коллекторе. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается.

Емкость эмиттерного перехода Сэ — емкость между выводами эмиттера и базы при отключенном коллекторе и обратном (или нулевом) смещении на эмиттере. При повышении напряжения значение' С9 также уменьшается.

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора тк = = ІіШ — произведение омического сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода; выражается в пикосекундах.

Входная емкость полевого транзистрра Спи — емкость между затвором и соединенными вместе истоком и стоком.

Проходная емкость полевого транзистора С і2и — емкость между стоком и затворо*и§