Страница - 470, Справочник конструктора радиолюбителя 1983




Транзисторы    469

п л    -Таблица 12.89. Тепловые параметры Предельно-допустимые эксплуатацион-

r ^ J J    транзисторов малой мощности

ные параметры

Предельные электрические и тепловые режи-    £    н мы работы транзисторов характеризуются мак-

симально допустимыми напряжениями между    Тип    !>j и *    и = з.

электродами, токами через них, а также рассей-    оГ*    \

ваемой в приборе мощностью при данной, темпе-    |    і    ■* S.

ратуре корпуса или' окружающей среды.    1*"    і1    £■ о |

Превышение указанных максимально допустимых Iх ^    Z    ^    а *

нагрузок приводит к резкому сокращению    ^    **

долговечности транзисторов, необратимому    -L----

ухудшению параметров, а иногда И К немедленно-    ГТ108А-ГТ108Г    75(20) 0,8    80 — 40ч- +55

А П .    ГТІООА-ГТІОЭИ    30(20) 1,8    80 -30-г +55

му отказу прибора. Следует также помнить,    о,8    80 -20+45

ЧТО аппаратура недостаточно надежна, если    ГТ122А-ГТ122Г    150(25) 0,2    85 —40+ +65

транзисторы работают при максимально допусти-    гті24А-гті24В    1Ш(Ш 5*®

< а    ГТІ2SA-TTI2БЛ I 150(25) 0,33    85 —40— +65

МЫХ напряжениях, токах, МОЩНОСТИ, особенно,    ГТ308А-ГТ308В    150(20) 0,25    85 -60ч- +70

когда эти максимальные нагрузки действуют    [360] (20)

одновременно. Для ТОГО чтобы устройство    ГТ311Е, ГТЗПЖ.    150(20) 0,35    70 —40+ +60

на транзисторах действовало безотказно ДЛИ-    Г ТЗІЗА-ГТЗІЗБ    100(20) о,4    85 -40+ +55

тельное время, при конструировании    ГТ321А-ГТ32ІЕ    160(20) 0,25    80 —60+ +60

аппаратуры нужно выбирать типы транзисторов    ВНП ЯЯ    ... , сс

ГТЧ99А-ГТЧ22В I 50(25) 0,7    60 —45-г- +55

И их рабочие режимы так, чтобы напряжения,    г4зЙ8АТТ328В    50(20) 0.7    80 -40+, +55

ТОКИ И МОЩНОСТЬ не превышали 0,7—0,8 ИХ    ГТ329А-ГТ329Г    20(20) —    80 —40+ +60

максимально допустимых значений. Совмеще-    ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ,    50(20) І.О    80 —40+ +55

НИЄ максимальных нагрузок (например, 1 тока    ГТ338А-ГТ338В    100(20) В    80 —40+ +55

И напряжения на коллекторе, тока И МОЩ-    ГТ341А-ГТ341В    35 (20) 0.8    80 —40+ +60

НОСТИ) недопустимо.    ГТ346А-ГТ346В    Я® Ц    II |й

л л а    ГТ362 А-ГТ362Б    40(20) 2,0    80 —40-г +55

Максимально допустимая постоянная рассей-    ртз?бА    35(20) £3    90 —40+ +50

ѳаемая МОЩНОСТЬ коллектора Щтір — наиболь-    ГТ383А-ГТ383В    25(25) 1,25    90 —40+ +60

шая мощность, рассеиваемая в транзисторе при    кті04А-кті04Г    |||Ш| 2’10    111 fflltt ¥Ш

- 'Г і Z    KT117А-КТ117Г    300(35) 0,33    120 —60+ +125

температуре окружающей среды Гокр (ИЛИ кор-    кті 18А-КТ118B    100(25) 0,4    150 -60+ + 125

пуса Гкор). При работе транзистора В усилителе    КТ201АКТ201Д    150(20) 0,6    150 —55+ +100

в режиме А ИЛИ В стабилизаторе напряжения    KT203A-KT203B    >50(20І 0,6    150

значение Яктах ОПрЄДЄЛЯЄТСЯ как произведение    КТ207А- КТ207В    І5(25)) -    - -45+ +85

ПОСТОЯННОГО напряжения между коллектором    КТ208А- КТ208М    200(25) —    150 —45+ +100

И эмиттером на ПОСТОЯННЫЙ ТОК коллектора    КТ209А-КТ209М    |0ЖЩ| 0,45    125 —45+ +100

/ А ч г- Шштвт    КТ30ІА-КТ30ІЖ    150(20) 0,6    120 —55+ +85

(В режиме А —ТОК ПОКОЯ). Если транзистор    ктзобА-КТЗОбД    150(20) 0,6    150 -60+ +125

работает В режиме переключения, ТО, кроме    КТ312А-КТ312В    225 (25) 0,4    150 —40+ +85

мощности, 'рассеиваемой в коллекторном    0,33    1 _40+ Ц

переходе, добавляется мощность, рассеиваемая    14    [юоо] (25)

В базе, равная произведению напряжения между    KT315A-KT3I5E    150(20) 0,67    120 —60+ +100

базой и эмиттером на ток базы.    Уб|1о) о.б    Я =60І Х\?ь

Дл-Я некоторых ТИПОВ транзисторов уста-    КТ326А-КТ326Б    250(20) 0,6    150 -60+ +125

новлена максимальная мощность, рассеиваемая    КТ337А-КТ337В    150(60) 0,6    150 —40+ +85

при заданной длительности импульса. При повы-    ,к|з40АІ<тз40Д    ЩЩ Z    Ц ~Ш ++85

шении температуры среды ИЛИ корпуса эта МОЩ-    КТ342А-КТ342В    250(25) 0,5    150 -60+ +125

ность должна снижаться. Значение Ры™,    КТ343А-КТ343Г    150(20) 0,5    150 —40+ +85

допустимое при заданной температуре корпуса    ЩШ Ц    || z\°0t %Щ

ГКОр или окружающей среды Гр, определяют по    КТ349А-КТ349В    200(20) 0,6    150 —40+ +85

формулам    КТ350А    200(30) 0,6    150 —40+ +85

. -    КТ35ІА-КТ351Б    200(30) 0,6    150 —40+ +85

Лпах^кор) = (Т'першах В /кор)/К/пер.кор,    КТ352А-КТ352Б    200(20) 0,6    150 -40+ +85

КТ355А    225(20) 0,7    150 —55+ +125

РтаЯШМ 1 Шпсртах — ^окр)/Я/пср.окр,    КТ356А, КТ356Б    100(25) -    150 -40+ +85

КТ357А-КТ357Г    100(20) 0,7    120 —40+ +85

где 7'пертах — МаКСИМЭЛЬНО допустимая температу-    KT358A-KT358B    100(20) 0.7    120 —40+ +85

ра р-я-перехода; /?/„*окоі — тепловое сопротивле-    (200](20)

Ка Р исрслида, мпер.кор ИІПІіШи    КТ361А-КТ361К    150(20) 0,67    120 —60+ +100

ние переход-корпус, /?/пер.окр — ТЄПЛОВОЄ сопротив-    КТ363А-КТ363Б    150(55) 0.7    150 —40+ +85

ление переход-окружающая среда.    КТ367А    100(25) —    150 —60+ +125

В табл. 12.89 И 12.90 приведены тепловые    КТ368А-КТ368Б    225(25)

сопротивления и рассеиваемые МОЩНОСТИ ДЛЯ    КТ372А-КТ372В    *50 Г    150 —60+ +125

транзисторов (Ртах — рассеиваемая МОЩНОСТЬ    КТ373А-КТ373Г    . 150(55) 0,6    150 —60+ +125

при монтаже на теплоотводе).    КТ375А-КТ375Г    200(25) 0,6    125 —40+ +85

Максимально допустимые напряжения.    КТ382А КТ382Б    I 100(25) _ _ _60+ +125

^КБ max > ^КЭтахі ^ЭБтах» 1 ^эггтах* В ЭТИХ