Страница - 347, Справочник конструктора радиолюбителя 1983




Измерение параметров полупроводниковых приборов    349

противление участка база — эмиттер транзистора). Так как UH.n/R2 = const, то

2/ Uи.п) /к щЩш

где К — постоянный множитель; І/ИЛ — напряжение источника питания.

Резистор R2 должен иметь сопротивление

R2 ~ ^21Э предам.ц/Щпред» где /пред—ток предельного отклонения миллиамперметра; Лгіэпред — рассчитываемый предел измерения статического коэффициента передачи тока.

Испытатель диодов и биполярных транзисторов (рис. 10.36). позволяет измерять /кБО, /эбо» Aor и Л2биполярных транзисторов структур р-п-р и п-р-п, проверять их «на генерацию» на низкой частоте, а также измерять Лір и /рбр диодов (при напряжении 4 В). Прибор также может служить источником низкочастотного напряжения.

При указанных в схеме номиналах элементов можно намерять неуправляемые токи транзисторов /КБО, /эбо, /кэя и обратные токи диодов до 200 мкА, прямые токи диодов до 20 -мА и коэффициент /?21,э Д° 200. Микроамперметр прибора имеет /пред—200 мкА, г„=650 Ом. При другом значении г„ или при необходимости расширить пределы измерения /ігіэ транзисторов или /пр диодов нужно изменить сопротивление шунтирующего резистора.

Магнитопровод трансформатора Тр^ШЭхЮ; обмотка / содержит 100 + 20 вйтков провода ПЭЛ 0,25; обмотка //-1600 витков провода ПЭЛ 0,08.

Режим проверки устанавливается с помощью переключателя ВА. Положение « = » соответствует режиму постоянного тока (измерение /кбо» /эбо, /k3r транзисторов и /пр, /обр диодов), а положение «~э при замкнутом выключателе Вь — низкочастотному генераторному режиму.


Испытываемый диод подключают к зажимам

Э и К в соответствующей полярности. Для измерения прямого тока диода выключатель В3 должен быть замкнут, а при измерении обратного тока -— разомкнут.

Для измерения токов /кбо, /эбо, /кэр транзистор подключают к прибору в соответствии со схемами на рис. 10.33. При испытании транзисторов структуры р-п-р переключатели Я и (см- Рис' 10.36) должны находиться в нижнем (по схеме) положении, а при испытании транзисторов структуры п-р-п — в верхнем.

Статический коэффициент передачи тока /гдіэ измеряют при подключении транзистора по схеме на рис. 10.35 при замкнутом переключателе Вг (см. рис. 10.36). При этом резистор /?3 шунтирует микроамперметр, что расширяет его предел измерения до 20 мА. Так как сопротивление резистора R2=39 кОм, то для всех испытываемых транзисторов /б«0,1 мА и верхняя предельная отметка шкалы измерителя соответствует значению /і2іэ=200.

Для испытания транзистора на генерацию на низкой частоте переключатель В4 необходимо поставить в положение «~» и замкнуть выключатель В5 (переключатель Вд должен быть разомкнут). При этом образуется генератор НЧ с автотрансформаторной связью. Генерации добиваются при малом сопротивлении резистора Rs. Индикаторами генерируемого напряжения являются неоновая лампа Л, и микроамперметр, шунтированный диодом (при замкнутом выключателе Вб). Регулировкой сопротивления резистора Rs можно ориентировочно оценить коллекторный ток транзистора в генераторном режиме и сравнить однотипные транзисторы по этому параметру- Большему сопротив


Рмс. 10.36