Страница - 94, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2Д118А-1

Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для применения в составе гибридных интегральных микросхем.

Выпускается без корпуса с защитой пресс-материалом ЭПФ-С и компаундом ЭКМ. Тип диода приводится на упаковке. Положительный вывод обозначается точкой.

Масса диода не более 0,5 г.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр = 0,3 А, не более:

при 213 К .    .ИМИ' I • • ••    В

при 298 и 373 К. . Л    . . . К! 1,0 В

Постоянный обратный ток при U0gp = 200 В, не более:

от 213 до 298 К . . . Ж; . . ; ij . . Я .. . 50 мкА при 373 К V . . • • • . у* . |1| . . . . • • 2000 мкА Время восстановления обратного сопротивления при /пр = 1 A, U0бр = 20 В, не более. І . . і . . . 0,3 мкс

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение . . . . . . . . . . . . 200 В Постоянный прямой или средний выпрямленный ток при RT < 250 К/Вт: от 213 до 298 К , . Я. . . ЩК    . 0,3 А при 373 К . . . . . -«g . . 'ЩИіКЙЯИр'-' 0,1 А Импульсный прямой ток при ти 1 1 мс и скважности, равной или менее 1000 . . . . . . . •ШиШ . . . 10 А Частота без снижения режима (в режиме меандра с Тф < 0,2 мкс с активной нагрузкой) . . 100 кГц Тепловое сопротивление переход — подложка, не более ....... . . . . 'у 60 К/Вт

Температура окружающей среды.......В1 От 213

4    до 373 К

Примечание. Установка диода в гибридную схему производится путем приклейки на держатель или подложку с последующей припайкой выводов к контактным площадкам.

94