Страница - 86, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Импульсный прямой ток при т„ < 500 мкс, / < 200 Гц

и температуре:

от 213 до 343 К . j|^ 1 | . . . | ДНШ | 3 А при Гмакс . . . гЩ . .......... 1 А

при т„ <100 мс и скважности более 1000 .... ЗА Средняя рассеиваемая мощность:

от 213 до 343 К . J . ". ! jjj . .Я I Я . . 750 мВт при ТѴ.аксі • • • г '» В .    100 мВт

Частота без снижения режимов: синусоидального напряжения ......... 30 кГц меандра с Тф І 1 мкс . .    . 1 . !    ! ! 10 кГц Тепловое сопротивление переход — среда .......140 К/Вт Температура окружающей средьк .

2Д106А . .    . . у.Я| .    • • • Нот 213 до

398 К

КД106А . . . . . . чЩВггѵ * * * * *• *    ДО

358 К

Примечания: 1. Диоды допускают разовые перегрузки импульсами обратного тока не более 3 А длительностью не более 50 мкс.

2.    Допускается применение диодов в режиме меандра с длительностью фронта переключения не менее 1 мкс на частотах до 50 кГц.

3.    Допускается параллельное соединение диодов при условии обеспечения отсутствия перегрузки диодов по прямому току. Допускается последовательное соединение диодов при условии, что обратное напряжение на каждом диоде не превышает допустимого значения.


Зависимость прямого тока напряжения.

от    Зависимость обратного тока от

напряжения.


86