Страница - 738, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Ток утечки на выходе, не более:

при 298 К . . . .............10 мкА

при 263 К................50 мкА

при 343 К . . . у . ..............50 мкА

Ток включения, не более............20 мА

Остаточное напряжение при выходном импульсном токе 50 мА (295АГ1 А, 295АГ1Б), 100 мА (295АГ1В, 295АГ1Г) и 200 мА (295АГ1Д), не более........ 2,5 В

Сопротивление изоляции между входом и выходом, не менее...    І Н 1 I.....1 • 108 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение источника питания, не более:

295АГ1А Щ • • .........................13,2 В

295АГ1Б, 295АГ1В................29,7 В

295АГ1Г, 295АГ1Д . ............52,8 В

Напряжение включения Ц . ...........5,25 В

Напряжение между входом и выходом...... 100 В

Выходной импульсный ток при т„ < 2 мкс, температуре окружающей среды от 263 до 308 К:

295АГ1А, 295АГ1Б....................50 мА

295АГ1В, 295АГ1Г.............100 мА

295АГ1Д. . . ... ...........    200 мА

Рассеиваемая мощность при температуре 298 К . . 1 . 500 мВт

Скорость нарастания напряжения источника питания при температуре окружающей среды от 263 до 343 К 50 В/мкс

Температура окружающей среды.........От 263 до

343 К

Зона возможных положений зави

симости напряжения включения от

температуры.