Страница - 731, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Время задержки включения:

при ||| = 100 Qm, С/ком =10 В, /вх =10 мА, не более    4 мкс

при RH = 1 кОм, /ком = 2 мА, /вх = 10 мА, не более    8 мкс Время задержки выключения не более:

при RH = 100 Ом, UKOM = 10 В, /вх = 10 мА ...    4 мкс

при RH = 1000 Ом, /ком = 2 мА, /вх = 10 мА . . .    25 мкс

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение между входом и выходом ...... 100 В

Обратное напряжение на входе    .. . . . . . . 2,5 В

Коммутируемое напряжение на выходе . . ... . 30 В Постоянный коммутируемый ток на выходе ... . §§ 5 мА Постоянный входной ток ., . . .    . у . . 4 10 мА

Импульсный входной ток:

при длительности импульса не более 10 мс, скважности 2 . . Ж . . .    . . . .    15 мА при длительности импульса 0,1 мс, скважности 10 20 мА Рассеиваемая транзистором мощность при температуре от 228 до 328 К . у . -Ж г/Ш' 20 мВт Рассеиваемая мощность всем прибором при температуре от 228 до 328 К . .. . Jf • - И • • • • • • f 34 мВт Температура окружающей среды . . ....... . .. . . , От 228 до

328 К

Зона возможных положений зависимости времени задержки включения от сопротивления база — эмиттер.


Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока от входного тока.

Зависимость коэффициента передачи тока от температуры.







732