Страница - 728, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Таблица 15.1

Тип прибора

Количество

оптопар

Количество

микросхем

Действующий ОЛК

Выводы

Вход

Выход

К249КН 1А

4

2

I, II

О

оо

7, 5;

12, 14

3, 1

К249КН1Б

2

1

I

8, 10

7, 5

К249КН1В

2

1

II

12, 14

3, I

К249КН1Г '

4

2

I, II

8, Ю;

7, 5;

12, 14

3, 1

К249КН1Д

2

1

I

8, 10

7, 5

К249КН1Е .

2

1

II

12, 14

3, 1

Выходное остаточное напряжение при входном токе 20 мА, не более:

при 298 К ................ 200 мкВ

при 343 К I .........I..... 350 мкВ

при 213 К

К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В...... 700 мкВ

К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е...... 750 мкВ

Время задержки включения, не более....... 10 мкс

Время задержки выключения, не более...... 10 мкс

Сопротивление изоляции при напряжении между входом

и выходом 100 В, не менее.........109 Ом

Емкость между входом и выходом, не более..... 5 пФ

Входное напряжение при входном токе 20 мА, не более:

при 298 К . ............... 3,5 В

при 343 К

К249КН1А, К249КН1 Б, К249КН1В...... 3,5 В

К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е...... 3,6 В

при 213 К................ 4 В

Сопротивление выходное в открытом состоянии:

К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В при входном токе 20 мА и тоже коммутации 0,5 мА, не более

при 298 К . . .............. 200 Ом

при 343 К . . .............. 300 Ом

при 213 К . . ......................400 Ом

К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е при входном токе 20 мА и токе коммутации 0,1 мА, не более

при 298 К................ 200 Ом

при 343 К................ 300 Ом

- при 213 К................ 400 Ом

Ток утечки между эмиттерами при /вх — 0, напряжении коммутации 30 В, не более: при 298 К

К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В...... 50 нА

К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е......100 нА

при 343 и 213 К............. 200 нА

729