Страница - 711, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




ном обратном напряжении, не более:

АОДЮ1А, АОДЮ1В, ЗОДЮ1 А,    ЗОДЮ1В,

ЗОДЮ1Г 'аШмй . . BSh-v . . .    .    ;«    2 мкА

АОДЮ1Б, ЗОДЮ1Б .... . ; .    і    . /У .    8 мкА

АОДІОІГ . Щ* • .... . ,. .    .    . . . •    Ю мкА

АОДЮ1Д . Як. . . . . . . ■.    .    5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение на фотодиоде при температуре окружающей среды от 213 до 343 К:

АОДЮ1 А, АОДЮ1В, АОДЮ1Г, АОДЮ1Д,

ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1В ШІ. . . .    • • 15 В

АОДЮ1Б, ЗОДЮ1Б . . . . ....... Ж ЮОВ

ЗОД101ГЧ . К* .    • 40 в

Импульсное обратное напряжение на фотодиоде при длительности импульса не более 100 нс и скважности не менее 2:

ЗОДЮ1 а, ЗОДЮ1В . . . . щ.    • 20 в

ЗОДЮ1Б. . . . . . . . . Щ . '■ 120 В ЗОДЮ1Г . . . . ...... . ...... 60 в

712

Зона возможных положений

зависимости входного напря

жения от входного тока.