Страница - 673, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Полная мощность излучения при /пр = 50 мА, не

менее. . В S ТЩ'-’ -В? • ИВЯ • ' 2 мВт Импульсная мощность излучения при /при = 0,5 А и температуре 298 К, не менее £$ . . . \ ^ . . 10 мВт Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не более . .    Щ 1,7 В

Длина волны излучения в максимуме спектральной

характеристики , Я . . .    . . . . . . Щ От 0,91

до 0,95 мкм

Время нарастания импульса излучения при /прI = 50 мА,

т„ < 500 нс, не более . . * * . . . . /.-р1 . . . 100 нс Время спада, не более . :;0 . . . . . . •. . . . . 150 нс

Зона возможных положений за

висимости мощности излучения

от температуры.