Страница - 671, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




ЗЛ115А, АЛ115А

Излучающие диоды арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные в защитной пластмассовой Оболочке. Предназначены для работы в качестве источников инфракрасного излучения с длиной волны 0,95 мкм. Тип диода указывается на групповой таре. Положительный вывод отмечается белой точкой.

Масса диода 0,2 г.

Электрические и излучательные параметры

Полная мощность излучения при /пр = 50 мА, не менее. ж-*'- . . . ...... • Ж НрЦ 10 мВт

Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не более.    . ші .    2 в

Дифференциальное сопротивление при /пр = 50 мА, не более . . ’. . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Ом Длина волны излучения в максимуме спектральной характеристики* при /пр = 50 мА . . . ... . Около

0,95 мкм

Ширина спектра излучения * на уровне 0,5 при

/пр = 50 мА, не более . ... . .    . . 0,05 мкм

Ширина диаграммы направленности * на уровне 0,5,

не более . . . . . . ^ Л • L\ • • • Н • • • 90 град Коэффициент полезного действия*, не менее 1■ . . . . 10% Параметры импульса излучения *:

время включения, не более ....    300 не

время выключения, не более . . . . . . . . . 500 не Постоянный обратный ток при Щбр = 4 В, не более 100 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянный прямой ток AJ1115A при температуре от 233 до 358 К и 3JI115A при температуре от 213 до 358 К . . я*-'' . щ' . ..... . ЯГ. . л . !>'? . 50 мА Постоянное обратное напряжение 9 . . . . ! . . . 4 В

Рассеиваемая мощность . . . . .. . . %.....100 мВт

Температура окружающей среды:

АЛ115А Іb jf I j ЩТ & . . Щ СДЯ • J 1 От 233

до 358 К

3JI115A . ШЖІШІ . . . . I . .    От 213

до 358 К


672