Страница - 669, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зона возможных положений зависимости мощности излучения от температуры.

Зона возможных положений зависимости прямого напряжения от температуры.

Зона возможных положений зависимости мощности излучения от импульсного тока.

Зависимость мощности излучения от частоты.


ЗЛ109А-1, АЛ109А-1

Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные бескор-пусные. Предназначены для использования в оптоэлектронных гибридных микросхемах, имеющих герметичный корпус. Обозначение типа диода приводится на этикетке.

Масса диода не более 0,06 г.

670