Страница - 621, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические Параметры

Напряжение в открытом состоянии при

^откр = 100 мА, 298, 213, 343 К, не более    2 В

Коэффициент передачи однопереходного транзистора при Ш|§| = 10 В: при 298 К

2У106А, 2УД06В . I . ]    Щ От 0,5 до 0,7

2У106Б, 2У106Г ..... .    . От 0,65 до 0,85

при 343 К

2У106А, 2У106В . V . . Л V . ' От 0,45 до 0,7 2У106Б, 2У106Г ; . . . . Щ . ■ : От 0,6 до 0,85 при 213 К

2У106А, 2У106В . . . . ". ѵ От 0,5 до 0,75 2У106Б, 2У106Г .    - МННН| -Or- 0,65 до 0,9

Межбазовое сопротивление:

при 298 , К л    * .,•* • • От 4 до 12 кОм

при 213 К ѵ. І|| ., . . . . . От 2 до 12 кОм

Ток в закрытом состоянии при максимальном    напряжении, не более:

при 298 и 213 К . ....... . . .    . . 10 мкА.

при 343 К МГГ . ; . -і"    100 мкА

Постоянный отпирающий ток управляющего электрода

при С/Пр,зкр = 10 В, не более •* ! ѵ . . .    10 мА

Минимальный ток в закрытом состоянии, не более 10 мА

Ток утечки эмиттерного перехода однопереходного транзистора при С/БіБ2 = 30 В, не более . . . ..'.■■■> /Ж" 1 мкА

Ток включения однопереходного транзистора при

^Б1Б2 = 10 В, не более . . Й: , . -1 . . . . Щ 20 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Межбазовое напряжение ; . .. . . . . . . " • • 30 В

Обратное напряжение между эмиттером и базой 2 30 В

Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии при

температуре от 213 до 308 К . . . . . Ш| . . 50 мА

Средний ток тиристора в открытом состоянии при тем- .

пературе от 213 до 30& К . М . . . . .    Ю0 мА

Ток эмиттера однопереходного транзистора при ти < 10 мкс, скважности, большей или равной 200,

Яш = 20 Ом, температуре от 213 до 308 К . . ?*';'• 1 А

Импульсный ток тиристора в открытом состоянии при т„ < 500 мкс, скважности, большей или равной 20, температуре от 213 до 308 К^'ш*-*. >. . . • 1J.\ 1 А

Средняя рассеиваемая мощность при температуре от

213 до 308 К ѵ . . ... . . . . . . . ^ 400 мВт ^

622