Страница - 599, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2Н102А, 2Н102Б, 2Н102В, 2Н102Г, 2Н102Д,

2Н102Е, 2Н102Ж, 2Н102И, КН102А, КН102Б,

КН102В, КН102Г, КН102Д, КН102Ж, КН102И

Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п диодные. Предназначены для работы в'импульсных устройствах в качестве коммутирующих элементов.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса тиристора не более 2 г.

Электрические параметры

Минимальный ток в открытом состоянии

при 213 К . ж! . ........... 15 мА

при 373 К .    ......... .‘Др. • 0,1 мА

Напряжение в открытом состоянии при /откр = 200 мА, не более    1,5 В

Время выключения при максимальном напряжении, /0ткр,и =

1 А, т„ = 10 мкс, не более    . . . Н 1 Ж. 40 мкс

Общая емкость при С/обр = 0 В, /= 1 -г 10 МГц, не более . . . ............... 80 пФ

Ток в закрытом состоянии при максимальном    напряжении, не более:

при 298 К.......................г; 80 мкА

при 373 К...... . .    • Vі • 150 мкА

Обратный ток при С/обр=10 В,' не более . .    . . I 0,5 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:

2Н102А, КН102А.....ЦІ IІШ. |    5 В

2Н102Б, КН102Б . . .......... .    7 В

2Н102В, КН102В . . . . Ж . . IS Щ .    Ю 3 2Н102Г, КН102Г \ І І .Ж> I ѵ .    |    І В

600