Страница - 582, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




при 398 К

2С175Е . Щ . 'Ц . I ' . ......... 100 м А

2С182Е, 2С191Е .............90 мА

2С210Е, 2C2I1E.....................80 мА

2С212Е, 2С213Е ..................70 мА

Постоянный прямой ток ............20 мА

Рассеиваемая мощность при температуре: от 213 до 308 К:

2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С210Е, 2С211Е, 2С212Е,

2С213Е . . Щ . ..... 1 j . . . 1 . її 150 мВт КС175Е, КС182Е, КС191Е, KC2I0E, KC2I1E,

КС212Е, КС213Е.............125 мВт

при 398 К для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2C2I0E,

2С211Е, 2С212Е, 2С213Е ..........100 мВт

Температура окружающей среды 1 . 1 ......От 213 до

398 К

Температура перехода* для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е,

2С210Е, 2С211Е, 2С212Е, 2С213Е........ 423 К


Зона возможных положений зависимости дифференциального сопротивления от тока.

Зависимость импульсного тока стабилизации от длительности импульса.

Зависимость амплитуды одноразовой нагрузки от длительности импульса.

583