Страница - 56, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Температура окружающей среды . . . . . . . . . От 213 до

Тк = 403 К

Температура корпуса .... ..... ..... 403 К Пр имечание. При последовательном соединении диодов рекомендуется шунтировать диод резистором с сопротивлением 10 —

15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратного напряжения.

Зависимость допустимого среднего тока от температуры корпуса.

МД217, МД218, МД218А

Диоды кремниевые диффузионные.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 2 г.

Электрические параметры

Среднее прямое напряжение при    = 100 мА, £/обр =

= ^обр.мако не более:

МД217, МД218    . . . 4Т . 1,0 В

МД218А I J    . І    1,1 В

Средний обратный ток при t/o6p | С/обРіМакс> /пр,Ср!

= 100 мА, не более: от* 213 до 298 К .... . . |... . 50 мкА при 398 К I . ... ! . ........ . 150 мкА


56