Страница - 540, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2С211Ц . . . . . . . . . . .....    11,2 мА

2С212Ц................10,6 мА

при 398 К

2С175Ц Jgf І    • і ...”.....6,7 мА

2С182Ц . . 11 . . . . . . . ...........6 мА

2С191Ц Щ • • ♦ . . . . . . :.....5,6 мА

2С210Ц Щ; . • .йШ . ...........    5 мА

2С211Ц йі • • • ■ • • .........4,5 мА

2С212Ц WL. . . . У л . . . , ....    4 мА от 213 до 308 К при р щ 665 Па

2С175Ц . 1 ,. I У . . , ........8,5 мА

2С182Ц > ...............    7,5 мА

2С191Ц Ш ......... I............7 мА

2С210Ц V. : . . . Щ . Шщр........6,2 м А

2С211Ц    . . . І......5,6 мА

2С212Ц . . . . Щ...........5,3 мА

при 398 К и р = 665 Па

2С175Ц Щ . . . Я . Щ ........3,4 мА

2С182Ц Щ I j    3 мА

2С191Ц Щ...............2,8 мА

2С210Ц ................2,5 мА

2С211Ц . . . . . . .    '.....2,3 мА

2С212Ц Цѵ . . . . .    2 мА Прямой ток при переходных процессах длительностью

не более 1 с . ! і Щ...........50 мА

Рассеиваемая мощность при температуре:

от 213 до 308 К ........ . . •    125 мВт

при 398 К Ц . . Л . . . . I . .....    50 мВт

от 213 до 308 К и /> = 665 Па......63 мВт

при 398 К и р = 665 Па........25 мВт

Температура окружающей среды.........От 213 до

398 К

Зона возможных положений за

висимости дифференциального

сопротивления от тока.

541

Зона возможных положений за

висимости дифференциального

сопротивления от тока.