Страница - 537, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Рассеиваемая мощность при температуре:

от 213 до 308 К.....2| . 'Щ. . І Ц і 125 мВт

при 398 К    Щ I raj 50 мВт

от 213 до 308 К при р = 665 Па для 2С175Ж,

2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж,

2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж,

2С224Ж . Ц . .    ........... 62 мВт

при 398 К, р = 665 Па для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж,

2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж,

2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж ....... 25 мВт

Температура окружающей среды . . . . Нр . . . . От 213 до

398 К

0 1,5 5,0 7,5 10 11,5 м А


Зона возможных положений зависимости дифференциального сопротивления от тока.

Зона возможных положений зависимости дифференциального сопротивления от тока.



Ом 150

100

150

100

50

0


Зона возможных положений за

висимости дифференциального

сопротивления от тока.

Зона возможных положений за

висимости дифферейциального

сопротивления от тока.

538