Страница - 523, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




от 213 до 308 К и I = 665 Па

2С133В, 2С133Г . Ш*' . і ВрД Ш . . . 2С147В, 2С147Г . . .    . . Ц . І I I

2С156В, 2С156Г І НИ І . .. ..    . I

при 398 К и р = 665 Па 2С133В, 2С133Г .... І Ш-Я . ЩЁШ Ц І 2С147В, 2С147Г И№ | ДШ . . КѵЖ . 2С156В, 2С156Г . . . . і . ІИ . '    .

Прямой ток при переходных процессах для 2С133В.

2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2С156В, 2С156Г . . . . Рассеиваемая мощность при температуре:

от 213 до 308 К . . . .. . И . ННЕШНИ при 398 К для 2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2С156В, 2СІ56Г . і ЩЯЯШКМ . ЮШшШ от 213 до 308 К и /7 = 665 Па 2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2С156В, 2С156Г при 398 К и р = 665 Па

2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2С156В, 2С156Г Температура окружающей среды.........

Температура перехода* для 2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2С156В, 2С156Г ....... ИМИ .

Зависимость дифференциального сопротивления от тока.


Зависимость среднего температурного коэффициента напряжения стабилизации от напряжения.

Зависимость среднего температурного коэффициента напряжения стабилизации от тока.

524