Страница - 511, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2С139Д-1 .    . . .’• < . .. .Щ.-’. . ,12,8 мА

2СІ43Д-1 . . , .    . . . . . . 11,6 мА

при 398 К V,- • . .    . / : .

2С124Д-1,. ШШІІ . А-Я..А. ►4Ьй‘ »-Ж:>17.,1;мА 2С127Д-1. . |ш|( . ^яИИВшЬѵ л ш^ЯШ ѵ 6j мА 2С130Д-1 . , Іш . « ~    . ДИВ»- ,е---6,0 мА-

2С133Д-1 ж    . Т".; . V .~'ї '."ж . 5,5 мА

2С136Д-1 . . *„ . -.і . л-Й| ч. -5,0 мА’ •2С139 Д-J- Ниг.    . «І... . . ^р^1.3С 4,6. мА

2С143Д-1    *'Ш' «f *• &'■' 4,2 мА •

Рассеиваемая мощность при темплоотводе, обеспечива-, І ющем RT < 1 К/мВт при температуре; от 213 до 308 К . Шл-.~.;:.«&.їШШкл* -«.✓>., 50 мВт

при 398 К ......    ......««. 18 мВт

Тепловое сопротивление общее*    . Ї f . J 3 К/мВт

Температура окружающей среды . .    .    ..іОт- 213 до

398 К


Зависимость среднего Температурного коэффициента напряжения стабилизации от токаі.


пФ 750

ВОО

450

300

150

0


Зависимость общей емкости

диода от Напряжения.

Зона возможных положений за

висимости дифференциального

сопротивления от тока.