Страница - 508, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Д816Г, Д816ГП.............260 мА

' Д816Д, Д8І6ДП . . . . . , . . . . . .    220 мА

Д817А, Д817АП . . .... . . . . . . .    J'go мА

Д817Б, Д817БП.................150 мА

Д817В, Д817ВП.............. . . .    120 мА

Д817Г, Д817ГП............ .    100 мА

при Тк = 403 К

А.> Д815А, Д815АП..........................720 мА

А- ДЙ15Б, Д815БП . •..........' . ,    600 мА

А Д8І5В, Д815ВП................500 мА

Щ Д&5Ґ,- Д815ГП............ .    400 мА

Д815Д, Д815ДП.................340 мА

Д815Е, Д815ЕП............ .    270 мА

Д815Ж, Д815ЖП..........................220 мА

Д8І6А, Д816АП.............180 мА

Д816Б, Д816БП.............150 мА

Д816В, Д816ВП.............120 мА

Д816Г, Д816ГП . ...............110 мА

Д816Д, Д816ДП.............90 мА

Д8І7А, Д817АП ............    70 мА

Д817Б, Д817БП.............60 мА

Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГП.......50 мА

Рассеиваемая мощность: при Тк < 348 К


Зависимость дифференциального сопротивления от тока.

S09