Страница - 504, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




t !    Электрические параметры

Напряжение стабилизации номинальное при 298 К: при /СТ||ОМ = 1000 мА

Д815А, Д815АП . . ............5,6 В

Д8І5Б, Д815БП . . .........    6,8 В

Д815В, Д815ВП......................8,2 В

при І„ ,(0М = 500 мА

Д815Г, Д815ГП .......... .    10 В

Д815Д, Д815ДП ...........    12 В

Д815Е, Д815ЕП .В........ . |    15 В

Д815Ж, Д815ЖП....................18 В

при /стоном = 150 мА

Д816А, Д816АП......................22 В

Д816Б, Д816БП......................27 В

Д816В, Д816ВП ...........    33 В

Д816Г, Д816ГП і ..........    39 В

Д816Д, Д816ДЛ 1......... J    47 В

Ііри /сіуіом ~ мА

Д817А, Д817АП ................56 В

Д817Б, Д817БП...............68 В

Д817В, Д817ВП..............82 В

Д817Г, Д817ГП I...........100 В

Разброс напряжения стабилизации при 298 К,

*СТ = СТ.ІЮМ •

Д815А, Д8І5АП.......... . От 5,0 до 6,2 В

Д815Б, Д815БП......1 . . 1 \ От 6,1 до 7.5 В

Д8І5В, Д815ВП . ... І і . I I . . . . От 7,4 до 9,1 В

Д815Г, Д8І5ГП ...........От 9,0 до 11,0 В

Д815Д, Д815ДП .........I .От 10,8 до 13,3 В

Д815Е, Д8І5ЕП . . . . . I . .. . .От 13,3 до 16,4 В Д815Ж, Д8І5ЖП ......... .От 16,2 до 19,8 В

Д816А, Д816АП ...........От 19,6 до 24,2 В

Д816Б, Д816БП...........От 24,2 до 29,5 В

Д816В, Д816ВП ... ... . . . . .От 29,5 до 36 В

Д816Г, Д816ГП . І.....:| I я От 35 до 43 В

Д816Д, Д816ДП................Оі 42,5 до 51,5 В

Д817А, Д817АП . . ....... . .От 50,5 до 61,5 В

Д817Б, Д817БП......1 . I J . От 61 до 75 В

Д817В, Д817ВП....... I . . . От 74 до 90 В

Д817Г, Д817ГП ..... рі . , . > От 90 до ПО В

.


505