Страница - 502, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Д814В .........................12 Ом

Д814Г . . ......................15 Ом

Д814Д ..............    18 Ом

при 213 и 398 К, Іст = 5 мА

Д814А ...................15 Ом

Д814Б............................18 Ом

Д814В.....................25 Ом

Д814Г ...... ..... ...    30 Ом

Д814Д ....................35 Ом

при 298 К, 7СТ = 1 мА

Д81.4А..................12 Ом

Д814Б............................18 Ом

Д814В.....................25 Ом

Д814Г............................30 Ом

Д814Д ..................35 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Минимальный ток стабилизации..................3 мА

Максимальный ток стабилизации при температуре; от 213 до 308 К

Д814А.................40 мА

Д814Б.................36 мА

Д814В.................32 мА

Д814Г . ................29 мА

Д814Д . ................24 м А

при 398 К

Д814А.................11,5 мА

Д814Б .................10,5 мА

Д814В......1...........9,5 мА

Д814Г .................8,3 мА

Д814Д .................7,2 мА

Рассеиваемая мощность при температуре:

от 213 до 308 К......................340 мВт

при 398 К...............100 мВт

Температура окружающей среды.............От 213

до 398 К

Температура перехода..........................398 К


Зависимость дифференциального сопротивления от тока.

503