Страница - 493, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




при 213 К

3A703A, АА703А /ЩУвГ . .. 'у . /Щ    340 мА

ЗА703Б, АА703Б j Щ; . И. . . . . J . .    390 мА

Сопротивление диода лри постоянном токе 10 мА . . .    От 3

до 20 Ом

Индуктивность диода, не более . ’HL ЦШ, . 1 . .    1,7 нГн Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение при температуре от 213 до 333 К. . . . . . І • Швр •' Ш • яК НМЯМ 8>5 в Температура окружающей среды . . . ... . ! От 213

до 333 К

Примечания: 1. Схема и конструкция выводов цепи смещения должна обеспечивать надежный отвод теплоты от положительного вывода диода, плавную подачу напряжения питания на диод, предусматривать защитную цепь, предохраняющую диод от выбросов напряжения.

2. Пайка выводов не допускается; следует применять цанговое крепление диодов в резонаторе.

Зависимость выходной мощности от напряжения питания.

Зависимость частоты генерируемых колебаний от напряжения питания.

1А704А, 1А704Б, 1А704В


Диоды германиевые планарнодиффузионные лавинно-пролетные. Предназначены для работы в генераторах в диапазоне частот 6 — 10 ГГц.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре.

Масса диода не более 0,7 г


494