Страница - 479, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость предельной частоты от температуры корпуса.

Зависимость общей емкое диода от напряжения.


3A603A, ЗА6ѲЗБ, 3A603B, ЗАбОЗГ, АА603А, АА603Б, АА603В, АА603Г


Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные. Предназначены для работы в умножителях частоты в диапазоне волн 3 см.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на корпусе.

Масса диода не более 0,65 г.

Электрические параметры

Предельная частота при /=2300 + 400 МГц, не менее:

3A603A, АА603А . . . . . . . Щ . . . ЩгѵѴ 100 ГГц

ЗАбОЗБ, АА603Б . . . Щ . . , . Л .    150 ГГц

3A603B, АА603В . . . Щ ..... Щ • ff§    -200 ГГц ЗАбОЗГ, АА603Г . ,. ; . • V . . . I/ЩШ: 250 ГГц Постоянное обратное напряжение при /0др = 50 мкА, не менее:

при 298 К

I 3A603A, ЗАбОЗБ, АА603А, АА603Б............20 В

3A603B, АА603В 1 . . і1Ш§ I ВВНИ    10 І

ЗАбОЗГ, АА603Г М| . І'-Й';;'    15 в при 213 и 358 К

ЗА603А, ЗАбОЗБ, АА603А, АА603Б . . . . •    15 В

3A603B, АА603В...... И-ІІШ | . мЦИ.    7 В

ЗАбОЗГ, ААбозг . . ШШШЯШ . ШШШЛ .    іо в

480